Disciplina detalhes

Detalhes do curso

Conhecimentos de Base Recomendados

Eletrotecnia
Objetivos

Descrever as características dos semicondutores.
Distinguir semicondutores tipo P e tipo N.
Caracterizar a junção PN.
Efetuar cálculos para a polarização de díodos.
Realizar montagens com díodos e proceder à análise
dos circuitos.
Caracterizar os diferentes tipos de circuitos usados na
retificação.
Descrever os díodos de Zener quanto à sua
constituição, características e aplicações.
Reconhecer a constituição, tipos e simbologia do
transístor bipolar.
Caracterizar o funcionamento do transístor bipolar.
Identificar as montagens fundamentais: EC, BC, CC.
Analisar as curvas características do transístor em EC.
Analisar o amplificador para sinais em EC, BC e CC.
Caracterizar a estrutura e o funcionamento dos vários
tipos de FET
Caracterizar a estrutura e o princípio de
funcionamento do tirístor.
Implementar circuitos com JFET, MOSFET
Após esta UC o aluno fica apto projetar, montar e reparar
circuitos com díodos e transistores.
Métodos de Ensino

Aulas Teórico- Práticas e aulas de Laboratório com simulação
de circuitos e montagem e teste dos circuitos.
Estágio(s)

Não
Programa

1. Díodo de Junção: Conceito de Semicondutor. Semicondutor intrínseco e extrínseco.
Junção PN. Junção PN não polarizada. Junção PN polarizada directamente. Junção PN
polarizada inversamente. Sentdo convencional da tensão e corrente no díodo.
Característca V-I do díodo. Simbologia do díodo. Modelo linear por troços, Modelo
linear por troços simplifcado, Modelo do díodo Ideal. Aplicações do díodo. Resistência
dinâmica do díodo. Díodos especiais.
2. Transístor de Junção Bipolar (BJT): Transístor de junção bipolar (BJT). BJT NPN. BJT
PNP. Simbologia dos transístores NPN e PNP. Sentdo convencional das correntes e
tensões nos BJT. Modos de operação dos transístores: ZAD (Zona Actva Directa), ZS
(Zona de Saturação), ZC (Zona de Corte), ZAI (Zona Actva Inversa). Modelos do BJT
para os diversos modos de operação. Efeito de Early. Curvas característcas do BJT,
Confgurações básicas de montagem do BJT e malhas de polarização. Determinação do
modo de operação. Ponto de funcionamento em repouso (PFR). BJT como comutador.
BJT como amplifcador (E.C). Compensação do efeito de temperatura (Emissor
Comum). Modelo do BJT para sinais pequenos nas médias frequências. Função dos
condensadores de acoplamento e contorno (Emissor Comum). Projecto de malhas de
polarização (Emissor Comum).
3. Transístor Metal Óxido Semicondutor (MOSFET): Transístor Metal Óxido
Semicondutor (MOSFET) canal N. Transístor Metal Óxido Semicondutor (MOSFET)
canal P. Curvas característcas do MOSFET. MOSFET de enriquecimento e de depleção.
Simbologias mais usadas para os FET. Sentdo convencional das correntes e tensões
nos FET. Modos de operação dos transístores de efeito de campo. Modelos do
MOSFET para os diversos modos de operação. Determinação do modo de operação.
Recta de carga estátca. Ponto de Funcionamento em Repouso. Malhas de Polarização.
FET como comutador. Projecto de malhas de polarização. O MOSFET como
amplifcador. Modelo do MOSFET para sinais pequenos nas médias frequências. Breve
referência ao Transístor de Efeito de Campo de Junção (JFET).
Demonstração de conteúdos

-
Demonstração da metodologia

-
Docente(s) responsável(eis)

Raúl de Figueiredo Cordeiro de Magalhães Correia - 2.º Semestre
Bibliografia

Robert Boylestad / Louis Nashelsky; Dispositivos Electrónicos e Teoria dos Circuitos, Prentice Hall. ISBN: ISBN: 85-216-1195-1
Manuel de Medeiros Silva; Circuitos com Transistores Bipolares e MOS, Calouste Gulbenkian. ISBN: ISBN: 972-31-0840-2
Manuel de Medeiros Silva; Introdução aos circuitos eléctricos e electrónicos, Calouste Gulbenkian. ISBN: ISBN: 972-31-0696-5
Adel Sedra / Kenneth Smith; Microelectronics Circuits, Oxford Univ Pr on Demand. ISBN: ISBN: 0-19-511690-9